第三代半导体是近年来的新技术，主要研究碳化硅、氮化镓等长禁带半导体新材料领域的划时代的技术发展和新材料器件的开发。20世纪初出现了很多第三代半导体相关的专利申请，约2000年以后，专利申请开始转移到急速的成长阶段。

美国的早期领导能力世界专利迅速增加，到2010年我国的申请量首次达到美国。美国、日本、中国、韩国、德国等国家和地区专利申请量迅速增加缓慢。截至2018年9月30日，第三代半导体产业的专利总量约为8.751万件。碳化硅、氮化镓和其他金属氧化物三种主要材料申请人数更相似。

其中碳化硅材料的功率半导体和器件工艺更受欢迎，氮化镓材料的外延生长和光电子比重小。从基板技术、结构、设备等方面来看，氮化镓器件制造相关的技术发展如下图所示。

氮化镓具有大禁带宽度、低电子饱和状态速度、低透过电场、高热导率、耐腐蚀及耐放射线性等优点，而且与现有的硅半导体工艺的兼容性强，在降低成本方面显示出更大的潜力。

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